特許
J-GLOBAL ID：200903037130734746
炭化珪素単結晶インゴットの製造方法及び炭化珪素単結晶インゴット
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
成瀬 勝夫
, 中村 智廣
, 鳥野 正司
, 佐々木 一也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-054420
公開番号（公開出願番号）：特開2007-230823
出願日： 2006年03月01日
公開日（公表日）： 2007年09月13日
要約：
【課題】転位欠陥の少ない良質の大口径{0001}面ウェハを、再現性良く低コストで製造し得るためのSiC単結晶インゴットの製造方法を提供する。【解決手段】種結晶1を用いた昇華再結晶法により炭化珪素単結晶12を成長させる際に、成長する炭化珪素単結晶12の電子濃度を1×1019cm-3以上6×1020cm-3以下と高くした状態で単結晶12の一部もしくは全部を成長させることにより、炭化珪素単結晶12の転位欠陥を低減させ、高品質で大口径な炭化珪素単結晶インゴット12を得る。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素単結晶よりなる種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させてバルク状の炭化珪素単結晶インゴットを製造する方法において、成長する炭化珪素単結晶の電子濃度を1×1019cm-3以上6×1020cm-3以下とした状態で、単結晶の一部もしくは全部を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
IPC (7件)：
C30B 29/36
, C30B 23/02
, C30B 25/02
, C30B 29/38
, C23C 16/42
, C23C 16/34
, H01L 21/205
C30B29/36 A
, C30B23/02
, C30B25/02 Z
, C30B29/38 D
, C23C16/42
, C23C16/34
, H01L21/205
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BE08
, 4G077BE15
, 4G077DA02
, 4G077DA18
, 4G077DB08
, 4G077DB09
, 4G077EA01
, 4G077EA02
, 4G077EA04
, 4G077EA06
, 4G077EB01
, 4G077ED02
, 4G077ED06
, 4G077EJ04
, 4G077GA02
, 4G077HA12
, 4K030AA06
, 4K030AA10
, 4K030AA11
, 4K030AA13
, 4K030AA17
, 4K030BA02
, 4K030BA08
, 4K030BA11
, 4K030BA37
, 4K030BA38
, 4K030BB02
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030FA10
, 4K030LA12
, 5F045AA03
, 5F045AB06
, 5F045AC01
, 5F045AC07
, 5F045AD18
, 5F045AF02
, 5F045BB08
出願人引用 (2件)
審査官引用 (6件)
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