特許
J-GLOBAL ID:200903037138032775

多層電子回路パッケージの層の製造方法及び多層電子回路パッケージの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 頓宮 孝一 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-155402
公開番号(公開出願番号):特開平5-191042
出願日: 1992年06月15日
公開日(公表日): 1993年07月30日
要約:
【要約】【目的】 配線化され高分子カプセル化された金属コアを少なくとも一層有する多層電子回路パッケージにおいて、貫通孔および通路同士を高い精度で整合させ、従来の方法で形成されたものよりも均質な孔および通路を形成する。【構成】 金属コアへ金属箔を提供し(A)、金属箔に孔を形成する(A’)。ポリマーを金属箔へ接着させるため、接着増進剤を有孔金属箔へ塗る(B)。熱処理可能な誘電体ポリマー又はその前駆体を、孔の内壁を含む有孔金属箔の露出面上へ蒸着する(C)。誘電体ポリマーを熱処理すると、有孔金属箔の表面に均質なコンフォーマルコーティングが形成される(D)。その後、金属化及び配線化され、他の層へ積層される(E)。
請求項(抜粋):
少なくとも1つの層が高分子カプセル化された金属コアを含む多層電子回路パッケージの層を製造する方法であって、前記層の前記金属コアのために金属箔を提供ステップと、前記金属箔に少なくとも1つの孔を形成するステップと、ポリマーを前記有孔金属箔へ接着させるために、接着促進剤を前記有孔金属箔へ塗るステップと、熱処理可能な誘電体ポリマーあるいは前駆体を、前記孔の内壁を含む前記有孔金属箔の露出面上へ蒸着するステップと、前記誘電体ポリマーあるいは前駆体を熱処理して、そのほぼ均質なコンフォーマルコーティングを前記有孔金属箔の表面上に形成するステップと、前記誘電体ポリマーの前記表面を金属化するステップと、を含む多層電子回路パッケージの層の製造方法。
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開昭62-014490
  • 特開平1-169990
  • 特開昭57-073992
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