特許

J-GLOBAL ID：200903037139951480

不揮発性メモリ及びその製造方法

発明者： 田中 陽
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-101436
公開番号（公開出願番号）：特開平7-312394
出願日： 1994年05月17日
公開日（公表日）： 1995年11月28日
要約：

【要約】【目的】 低電圧での書き換えが可能となる不揮発性メモリを提供する。【構成】 シリコン基板11上にトンネル酸化膜12、浮遊ゲート13、シリコン酸化膜14を形成し、シリコン酸化膜14上に、第1コントロールゲート15Aと第2コントロールゲート15Bとを独立して形成する。このような構造としたことにより、書き換え時の高電圧印加電極が二つに分散される。このため、書き換え時と読み出し時のカップリングレシオを変化させることにより、読み出し時のしきい値シフト△Vthを見掛け上大きくし、低い印加電圧にる、充分早い時間内でも読み出しに充分必要な△Vthを得ることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基体上に第1ゲート絶縁膜を介して浮遊ゲートが形成され、その上に第2ゲート絶縁膜を介してコントロールゲートが形成され、該コントロールゲートに高電圧を印加して書き換えを行う不揮発性メモリにおいて、書き換えを行うための高電圧印加電極がコントロールゲートを含めて二つ以上設けられ、該電極の一つが読み出し時にVcc電圧が印加されることを特徴とする不揮発性メモリ。

IPC (3件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-294068
  
• 特開昭54-040043
  
• 特開平3-211874