特許
J-GLOBAL ID：200903037144808564
蝕刻液及びこれを利用した半導体装置の蝕刻方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-157215
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045674
出願日： 1996年06月18日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：
【要約】【課題】 シリコンとシリコン酸化膜との蝕刻選択比を調節しうる蝕刻液を利用した半導体装置の蝕刻方法を提供する。【解決手段】 半導体装置の蝕刻に利用される蝕刻液において、前記蝕刻液はNH4 F、HF、H2 O2 及び純水で構成されることを特徴とする。本発明の蝕刻液を用いてシリコン酸化膜が形成されたシリコン基板を蝕刻する時、シリコンとシリコン酸化膜との蝕刻選択比の調節ができて工程の単純化及び蝕刻効果を極大化させうる。
請求項（抜粋）：
半導体装置の蝕刻に利用される蝕刻液において、前記蝕刻液はNH4 F、HF、H2 O2 及び純水で構成されることを特徴とする半導体装置の蝕刻液。
FI (2件)：
H01L 21/308 B
, H01L 21/308 E
