特許

J-GLOBAL ID：200903037145675576

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 小林 郁典
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 村山 光威
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-183408
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015759
出願日： 1999年06月29日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】 工程投入前のガラス基板の熱処理を省略してコストを低減し、かつ安定した性能を有するp-SiTFTの製造方法を提供する。【解決手段】 アモルファスシリコンをエキシマレーザーアニール法により多結晶化してp-SiTFTを製造する際、アモルファスシリコンの脱水素の温度を、ゲート絶縁膜形成後の熱処理の温度以上にする。

請求項（抜粋）：

ガラス基板の一主面上に非晶質半導体層を選択的に形成する工程と、前記ガラス基板の歪み温度より高い温度で第1の熱処理をする工程と、前記非晶質半導体層を結晶化する工程と、前記第1の熱処理と同一温度以下で第2の熱処理をする工程とを備えたことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 29/78 627 F ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (34件)：

5F045AB04 ,  5F045AF07 ,  5F045BB11 ,  5F045CA15 ,  5F045HA16 ,  5F045HA18 ,  5F052AA02 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052EA15 ,  5F052FA00 ,  5F052JA01 ,  5F052JA10 ,  5F110AA16 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD07 ,  5F110DD13 ,  5F110FF02 ,  5F110FF36 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP29 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ11