特許

J-GLOBAL ID：200903037148305265

半導体レーザ及びその製造方法

発明者： 中島 康雄
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-323925
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136526
出願日： 1991年11月11日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】【目的】 周波数特性に優れ、かつ高い信頼性を有する半導体レーザ及びその製造方法を得ることを目的とする。【構成】 ダブルヘテロストラクチャー層からなる導波路を形成し、その導波路を電流ブロック層で埋め込む埋め込み型(BH)レーザにおいて、その導波路もしくは導波路と電流ブロック層の一部からなるストライプ領域の両側にメサエッチングを施して溝を形成し、その溝をメッキを用いて埋め込みを行った。【効果】 メッキを通してストライプ両側に放熱することができることから、高出力動作が可能となり、緩和振動周波数の改善が図れ、かつ寄生容量の低減も図れるので大幅な周波数特性の改善が図れる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にダブルヘテロストラクチャー層からなるストライプ状の導波路を形成し、前記ストライプ状の導波路を電流ブロック層で埋め込み、前記ストライプ状の導波路の両側にメサ溝を形成し、前記メサ溝内にメッキを埋め込んでなることを特徴とする半導体レーザ。