特許

J-GLOBAL ID：200903037151539978

不揮発性半導体メモリ装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-113841
公開番号（公開出願番号）：特開平7-288292
出願日： 1980年01月14日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 ディプレッション領域制御型電界効果トランジスタを用いた不揮発性メモリ装置を作製する。【構成】 半導体基板1上部に一対の不純物領域と前記不純物領域間にチャネル形成領域を有し、前記半導体基板上に絶縁膜8と該絶縁膜上に半導体のフローテイングゲートと、前記フローテイングゲート上には絶縁膜と、制御用電極9とが設けられた不揮発性メモリ装置の作製方法において、前記半導体基板上の絶縁膜をイオン注入法により20〜200Åの厚さの窒化珪素膜として形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上部に一対の不純物領域と前記不純物領域間にチャネル形成領域を有し、前記半導体基板上に絶縁膜と該絶縁膜上に半導体のフローテイングゲートと、前記フローテイングゲート上には絶縁膜と、制御用電極とが設けられた不揮発性メモリ装置の作製方法において、イオン注入法により前記半導体表面近傍に窒素を注入して20〜200Åの厚さの窒化珪素膜を前記半導体基板上に形成することを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭53-065674