特許
J-GLOBAL ID:200903037157064955
薄膜コンデンサ
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-017058
公開番号(公開出願番号):特開平11-214249
出願日: 1998年01月29日
公開日(公表日): 1999年08月06日
要約:
【要約】【課題】大容量で低インダクタンス構造を有する薄膜コンデンサを提供する。【解決手段】膜厚が0.3〜1.0μmの誘電体薄膜3の下面に引出部2aを有する第1電極層2を、上面に引出部4aを有する第2電極層4を形成してなり、第1電極層2の引出部2aと第2電極層4の引出部4aの間に電圧が印加される薄膜コンデンサであって、第1電極層2の引出部2aと第2電極層4の引出部4aの間隔L1 が0.1〜0.5mmである。
請求項(抜粋):
膜厚が0.3〜1.0μmの誘電体薄膜の下面に引出部を有する第1電極層を、上面に引出部を有する第2電極層を形成してなり、前記第1電極層の引出部と前記第2電極層の引出部の間に電圧が印加される薄膜コンデンサであって、前記第1電極層の引出部と前記第2電極層の引出部の間隔L1 が0.1〜0.5mmであることを特徴とする薄膜コンデンサ。
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