半導体レーザモジュール搭載用高周波信号伝導体

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：春日讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-134649
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326933
出願日： 1997年05月26日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、半導体レーザモジュールに対して損失を小さく高周波信号を伝達できる半導体レーザモジュール搭載用高周波信号伝導体を提供することにある。【解決手段】高熱伝導かつ低固有電気抵抗材料からなるベース10の上に、信号伝達基板20が固定される。信号伝達基板20は、誘電体基板24上に形成されたマイクロストリップライン22からなる。また、ベース10には、コネクタ30が固定されている。ベース10上には、半導体レーザモジュール50が搭載され、さらに、圧接部材40を用いて、半導体レーザモジュール50の電気信号リード52は、マイクロストリップライン22に圧接される。

請求項（抜粋）：

高熱伝導かつ低固有電気抵抗材料からなるベースと、このベースの上に固定されるとともに、誘電体基板上に形成されたマイクロストリップラインを有する信号伝達基板と、上記ベースに固定されるとともに、上記信号伝達基板に高周波電気信号を伝達するコネクタとを備え、上記ベース上に半導体レーザモジュールを搭載することにより、この半導体レーザモジュールの電気信号リードを上記マイクロストリップラインに機械的に接触させて、電気的に接続することを特徴とする半導体レーザモジュール搭載用高周波信号伝導体。

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