半導体レーザ装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-093298
公開番号（公開出願番号）：特開平7-302951
出願日： 1994年05月02日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：

【要約】【目的】本発明は、傾斜基板を用いてなる短波長の半導体レーザおよびその製造方法において、ペレット分割時の欠けや割れの発生を減少できるようにすることを最も主要な特徴とする。【構成】たとえば、n-GaAs傾斜基板11上にダブルヘテロ接合構造部が形成されてなるウェーハの、上記ダブルヘテロ接合構造部上のp-GaAsキャップ層17上にp-GaAs平面基板18を接着する。この後、上記n-GaAs傾斜基板11を薄く研磨し、その表面にn型電極20を形成するとともに、上記p-GaAs平面基板18の表面にp型電極19を形成する。そして、共振器面に沿ってバー状にへき開し、さらにペレット単位にへき開することにより、割れや欠けなどなく素子を形成できる構成となっている。

請求項（抜粋）：

(100)面と等価な面から[011]方向と等価な方向に5°以上傾斜している表面を有し、薄く削られてなる第1の基板と、この第1の基板上に形成されてなるダブルヘテロ構造部と、このダブルヘテロ構造部上に設けられた、表面が(100)と等価な面指数に一致する第2の基板とを具備したことを特徴とする半導体レーザ装置。

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