特許
J-GLOBAL ID：200903037158567837
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-221918
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063348
出願日： 1991年09月03日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】【目的】回路基板の導体パターンに逆U字形の外付用抵抗素子を組み込んだ半導体装置を対象に、抵抗素子の抵抗値精度を確保できる抵抗素子の半田付け構造を得る。【構成】半導体素子および各種回路部品を実装した回路基板に対し、その導体パターン2の間にまたがり逆U字形に成形した外付用抵抗素子5の両端端子部5aを半田付け接合した半導体装置において、抵抗素子の端子部と接合する導体パターン側の半田付けランドの領域を、端子部に連なる抵抗素子の立ち上がり端部から外れた位置に形成するとともに、半田付けランドを残して導体パターンの表面周域に半田レジストをコーティングし、抵抗素子をリフローソルダ法により導体パターンに半田付け接合する。これにより、抵抗素子に対して不要な部分への半田の這い上がりを防止して精度の高い抵抗値を確保することができる。
請求項（抜粋）：
半導体素子および各種回路部品を実装した回路基板に対し、その導体パターンの間にまたがり逆U字形に成形した外付用抵抗素子の両端端子部を半田付け接合した半導体装置において、抵抗素子の端子部と接合する導体パターン側の半田付けランドの領域を、端子部に連なる抵抗素子の立ち上がり端部から外れた位置に形成して半田付け接合したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H05K 3/34
, H01C 1/012
, H01L 23/58
