特許
J-GLOBAL ID：200903037166378970
磁気抵抗効果素子及びこれを用いた磁気抵抗効果センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-290307
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135038
出願日： 1996年10月31日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：
【要約】【課題】 反強磁性層から固定磁性層へ印加される交換結合磁界が大きく、R-Hループ上のヒステリシスが小さく、さらに100〜200°C付近での反強磁性体中の副格子磁化が外部磁界に対して安定であり、したがって良好な再生特性が得られるMR素子を提供する。【解決手段】 フリー磁性層107/非磁性層105/固定磁性層103/反強磁性層102という構成をもつMR素子において、飽和磁化と膜厚との積が2×10-9T・mである固定磁性層103を用いる。固定磁性層103としては、フェリ磁性材料、又はランタノイド元素をベースとしたグループとFe,Co,Niをベースとしたグループとの合金材料を用いる。
請求項（抜粋）：
フリー磁性層、非磁性層、固定磁性層及び反強磁性層がこの順又はこの逆の順に積層された磁気抵抗効果素子において、前記固定磁性層は飽和磁化と膜厚との積が2×10-9T・mであることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (3件)：
H01F 10/08
, G11B 5/39
, H01L 43/08
H01F 10/08
, G11B 5/39
, H01L 43/08 Z
