特許

J-GLOBAL ID：200903037173531571

SOI光導波路を利用したハイブリッド光集積回路用基板の製造方法

発明者： 李 ▲サン▼ 煥 ,  朱 寛 種 ,  ▲黄▼ 南 ,  宋 敏 圭
出願人/特許権者： 韓國電子通信研究院
代理人 (1件)： 瀬谷 徹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-297369
公開番号（公開出願番号）：特開2000-089054
出願日： 1998年10月19日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】 転写の整列誤差を最小化し、光導波路の断面に最適化された反射防止膜を備えるハイブリッド光集積回路用基板の製造方法を提供する。【解決手段】 SOI ウエハーのシリコン層を選択蝕刻してSOI スラブを形成する第1段階、SOI ウエハー上部にシリコン窒化膜及び蝕刻防止膜を形成する第2段階、蝕刻してスラブの単結晶シリコンを露出させ、光繊維整列用のV-溝蝕刻ウィンドウ及び光素子整列用マークを形成する第3段階、露出された単結晶シリコン層を蝕刻してSOI リーブを形成する第4段階、蝕刻防止膜とシリコン窒化膜とを除去する第5段階、SOI スラブ表面に光導波路のクラッディング層を形成する第6段階、光繊維整列用のV-溝蝕刻ウィンドウに露出されたシリコン基板を異方性蝕刻して光繊維整列用のV-溝を形成する第7段階、SOI スラブの両終面に隣接した領域の蝕刻防止膜を除去しシリコン窒化膜を露出させる第8段階を備える。

請求項（抜粋）：

シリコン基板、埋没絶縁膜及び単結晶シリコン層でなるSOIウエハーの上記単結晶シリコン層を選択蝕刻してSOIスラブを形成する第1段階と、上記SOI ウエハーの全体構造上部に低圧化学気相蒸着(LPCVD)シリコン窒化膜及び蝕刻防止膜を形成する第2段階と、上記蝕刻防止膜と上記LPCVDシリコン窒化膜とを選択蝕刻してリーブ領域を除外した上記SOIスラブの上記単結晶シリコンを露出させて、同時に光繊維整列用のV-溝蝕刻ウィンドウ及び光素子整列用マークを形成する第3段階と、上記SOIスラブ上部の露出された上記単結晶シリコン層を選択蝕刻してSOIリーブを形成する第4段階と、上記SOIリーブ上部の上記蝕刻防止膜と上記LPCVDシリコン窒化膜とを選択除去する第5段階と、上記SOIリーブを含む上記SOIスラブの表面に光導波路のクラッディング層を形成する第6段階と、光繊維整列用のV-溝蝕刻ウィンドウに露出された上記シリコン基板を異方性蝕刻して光繊維整列用のV-溝を形成する第7段階と、上記SOIスラブの両終面に隣接した領域の上記蝕刻防止膜を選択除去して上記LPCVDシリコン窒化膜を露出させる第8段階とを含んでなることを特徴とするハイブリッド光集積回路用基板の製造方法。

IPC (3件)：

G02B 6/13 ,  G02B 6/122 ,  G02B 6/42

FI (3件)：

G02B 6/12 M ,  G02B 6/42 ,  G02B 6/12 B

Fターム (22件)：

2H037BA02 ,  2H037BA11 ,  2H037CA09 ,  2H037DA03 ,  2H037DA04 ,  2H037DA12 ,  2H037DA17 ,  2H037DA18 ,  2H047KA05 ,  2H047KA12 ,  2H047KA15 ,  2H047LA12 ,  2H047MA07 ,  2H047PA05 ,  2H047PA21 ,  2H047PA24 ,  2H047QA02 ,  2H047QA04 ,  2H047TA00 ,  2H047TA05 ,  2H047TA31 ,  2H047TA32