特許
J-GLOBAL ID：200903037184314610
化合物半導体単結晶の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-244165
公開番号（公開出願番号）：特開平8-109094
出願日： 1994年10月07日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：
【要約】【目的】 VGF法やVB法などにより融液表面から下方に向かって結晶を成長させる場合に蒸気圧制御を有効に行なうことを可能とし、それによって原料融液の組成制御を可能としさらには成長した結晶の組成制御を有効に行ない得る化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。【構成】 化合物半導体の原料を入れるるつぼ1を、蒸気圧制御用元素5の蒸気を通過可能な通気性を有する構成とし、蒸気圧制御を行ないながらVGF法やVB法により原料融液2の表面から下方に向かって結晶3を成長させる。【効果】 結晶成長中、原料融液の組成が一定に保たれるので、安定して結晶成長を行なうことができ、また結晶成長方向の組成が均一な結晶を得ることができる。
請求項（抜粋）：
リザーバ部を有する石英アンプルの該リザーバ部内に、化合物半導体の構成元素のうちの少なくとも1種の蒸気圧制御用元素よりなる単体または化合物を入れるとともに、前記蒸気圧制御用元素の蒸気を通過可能な通気性を有するるつぼ内に、前記化合物半導体の構成元素のうちの少なくとも2種の元素を有する原料を入れ、該るつぼを前記石英アンプル内に設置して同石英アンプルを真空封止した後、該石英アンプルを縦型の加熱炉内に設置し、該加熱炉により前記リザーバ部を加熱して同リザーバ部内の前記蒸気圧制御用元素の蒸気圧を上記石英アンプル内にかけて蒸気圧制御を行いながら、前記加熱炉により前記るつぼを加熱して前記原料を融解した後、該原料融液内の垂直方向の温度勾配を融液上端から融液下端に向かうに連れて高温となるように保持しながら徐々に冷却して融液上端から下方に向かって前記原料融液を固化させることにより前記化合物半導体の単結晶を成長させることを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 11/00
, C30B 29/48
, H01L 21/208
