特許

J-GLOBAL ID：200903037188389291

マイクロアクチュエータ、ヘッドジンバルアセンブリ及び磁気ディスク装置

発明者： 高橋 治英 ,  平野 敏樹
出願人/特許権者： ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ
代理人 (2件)： 新藤 善信 ,  家入 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-243149
公開番号（公開出願番号）：特開2009-076132
出願日： 2007年09月19日
公開日（公表日）： 2009年04月09日
要約：

【課題】マイクロアクチュエータの動作量の低下を抑制する。【解決手段】本発明の一実施形態のマイクロアクチュエータ205は、シリコン基板251とピエゾ素子255を有する。シリコン基板251は剛性を有しており、ピエゾ素子255に対して弾性反力を及ぼす。ピエゾ素子255は、シリコン基板251の反対側において、セカンダリ圧電層62がプライマリ圧電層61上に積層されている。セカンダリ圧電層62の収縮力は、プライマリ圧電層61がシリコン基板251と反対側であるセカンダリ圧電層62側に湾曲するように作用する。プライマリ圧電層61が伸張する場合、セカンダリ圧電層62の収縮力は、プライマリ圧電層61に対して、プライマリ圧電層61が反るように作用する。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

磁気記録再生素子を有するヘッドスライダを固定するためのプラットフォームと、 前記プラットフォームを回動させるように保持する基板と、 前記基板に保持され、印加電圧に応じて、前記基板の面方向において伸縮し、前記プラットフォームを前記面方向において動かすピエゾ素子と、を有し、 前記ピエゾ素子は、前記基板面上に位置し、前記印加電圧に応じて前記面方向において伸張力を生成するプライマリ圧電層と、当該基板面と反対側において前記プライマリ圧電層に積層され、前記印加電圧に応じて前記面方向において収縮力を生成するセカンダリ圧電層を有することを特徴とするマイクロアクチュエータ。

IPC (2件)：

G11B 21/21 ,  G11B 21/10

FI (2件)：

G11B21/21 D ,  G11B21/10 N

Fターム (7件)：

5D059AA01 ,  5D059BA01 ,  5D059CA18 ,  5D059DA19 ,  5D059DA26 ,  5D059EA02 ,  5D096NN03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許出願公開第2006/0044698号明細書