特許

J-GLOBAL ID：200903037192201663

電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者： ルイス・ル-チェン・スー ,  ジャック・アラン・マンデルマン
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-005079
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251579
出願日： 1999年01月12日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：

【要約】【課題】 実質的に分離されたボディを有する電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 本発明の電界効果トランジスタは、半導体基板16と電荷キャリアの交換を可能にするネック領域13を経て、半導体基板と接触する、半導体材料よりなる実質的に電気的に分離された領域に形成されたデバイス領域17を有している。トランジスタのデバイス領域は、ネック領域以外の面で基板との電気的接触から分離されている。

請求項（抜粋）：

基板と電荷キャリアの交換を可能にするネック領域を経て、半導体を含む基板と接触する、半導体材料よりなる実質的に電気的に分離されたデバイス領域を備え、このデバイス領域は、前記ネック領域以外の面では前記基板との電気的接触から分離されており、前記デバイス領域の中央部に形成されたチャネル領域と、前記チャネル領域と電気的に接触するソース領域およびドレイン領域と、前記チャネル領域に結合され、前記ソース領域とドレイン領域との間の電流を変調するように動作するゲートと、を備えることを特徴とする電界効果トランジスタ。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-125667
  
• 特開平1-276669
  
• 特開昭63-314870
  
• 特開平2-130852