特許

J-GLOBAL ID：200903037195287690

半導体装置の製造方法

発明者： 川村 貴保
出願人/特許権者： 株式会社明電舎
代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-263597
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121284
出願日： 1991年10月11日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【目的】 複数のマスク工程を有する半導体装置の製造方法において、マスクの正確な位置合わせとその不良確認を迅速且つ容易に行う手段を確立する。【構成】 最初のマスク工程で用いるプライマリーマスクに複数の検査用パターン9a〜9cを設け(図1(a))、これにより半導体装置のウエハ表面に以後のマスク工程の位置合わせ基準点を形成するとともに、次回以後のマスク工程で用いるマスクに、夫々前記基準点の少なくとも一つと一致し、且つ、他のマスクと異なる位置の検査用パターン10〜12を設け、対応する位置合わせ基準点と各検査用パターン10〜12同士を重ね合わせながら各マスク工程(図1(b)〜(d))を実施するようにした。

請求項（抜粋）：

複数のマスク工程を有する半導体装置の製造方法において、最初のマスク工程で用いるプライマリーマスクに以後のマスク工程数と少なくとも同一個数の検査用パターンを設けるとともに、次回以後のマスク工程で用いるマスクに各々前記プライマリーマスクの検査用パターンの少なくとも一つと同一位置の検査用パターンを設け、プライマリーマスクの検査用パターンで半導体装置のウエハ表面に位置合わせ基準点を形成した後、次回以後のマスク工程を夫々のマスクの検査用パターンとウエハ表面の位置合わせ基準点とを一致させながら実施するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (3件)：

H01L 21/30 301 C ,  H01L 21/30 301 M ,  H01L 21/30 311 B