特許

J-GLOBAL ID：200903037195504365

半導体装置及びその製造方法

発明者： 黒田 英明
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-193036
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013605
出願日： 1992年06月26日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【目的】 ゲート電極とゲート絶縁膜との界面が安定であり、しかもゲート電極の電気抵抗が低いにも拘らず、ゲート電極が熱的に安定で層間絶縁膜がゲート電極から剥離しにくい半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 多結晶Si膜23と全面をTiN膜24、26、32に被覆された状態で多結晶Si膜23上に積層されているW膜25とから成るゲート電極11を有している。ゲート絶縁膜であるSiO2 膜16には多結晶Si膜23が接しているのでゲート電極11とSiO2 膜16との界面が安定であり、しかもW膜25のためにゲート電極11の電気抵抗が低いにも拘らず、W膜25の全面をTiN膜24、26、32が被覆しているで、ゲート電極11が熱的に安定で層間絶縁膜17やLDDスペーサ34がゲート電極11から剥離しにくい。

請求項（抜粋）：

半導体膜と全面を高融点金属窒化膜に被覆された状態で前記半導体膜上に積層されている高融点金属膜とから成るゲート電極を有する半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/62

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-077162
  
• 特開平1-186675
  
• 特開昭63-174371
  
• 特開平1-303759