特許
J-GLOBAL ID:200903037195911025
リッジ型分布帰還半導体レーザ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
高田 守
, 高橋 英樹
, 大阿久 敦子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-404391
公開番号(公開出願番号):特開2005-166998
出願日: 2003年12月03日
公開日(公表日): 2005年06月23日
要約:
【課題】 レーザ発振の閾値電流が低く、発光効率の大きいリッジ型分布帰還半導体レーザを提供する。【解決手段】 n-InP基板101の上方に形成されたn-InGaAsP回折格子層112と、この回折格子層112の上方に形成されたAlGaInAs-MQW活性層103と、この活性層103の上に形成され、p-InPクラッド層106およびp-InGaAsコンタクト層108を備えたリッジ部114とを有する。ここで、回折格子層112のバンドギャップエネルギーに相当する波長λgとレーザ光の発振波長λとは、λ-150nm<λg<λ+100nmの関係を満たす。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
n型の半導体基板と、
前記半導体基板の上方に形成されたn型の回折格子層と、
前記回折格子層の上方に形成され、多重量子井戸構造を含む活性層と、
前記活性層の上に形成され、p型のクラッド層およびp型のコンタクト層を備えたリッジ部とを有し、
前記回折格子層のバンドギャップエネルギーに相当する波長λgとレーザ光の発振波長λとが式(1)
λ-150nm<λg<λ+100nm ・・・(1)
の関係を満たすことを特徴とするリッジ型分布帰還半導体レーザ。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (10件):
5F073AA03
, 5F073AA13
, 5F073AA64
, 5F073BA02
, 5F073CA17
, 5F073CB02
, 5F073DA05
, 5F073DA06
, 5F073EA23
, 5F073EA24
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