特許

J-GLOBAL ID：200903037196294593

非平衡組織を利用した結晶方位配向多結晶の磁場中製造法

発明者： 安田 秀幸 ,  大中 逸雄
出願人/特許権者： 安田 秀幸 ,  大中 逸雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-036195
公開番号（公開出願番号）：特開2000-203997
出願日： 1999年01月04日
公開日（公表日）： 2000年07月25日
要約：

【要約】【目的】 広範囲の材料への適用を可能にする磁場中凝固・焼結による結晶方位配向材料の製造プロセス。【解決手段】急冷凝固法、粉末混合を利用した非平衡組織を初期組織とし、加熱・保持中に平衡状態では得られない温度条件で固液共存状態を実現し、材料の磁気的な異方性を効果的に利用し、方位が配向した材料を製造することができる。

請求項（抜粋）：

非平衡共晶組織、非平衡包晶組織、非晶質、あるいはこれらの混合組織を有する材料を磁場中で加熱し、溶解・凝固させ、容易磁化方向、常磁性磁化率の異方性といった磁気的な異方性によって一定方向に結晶方位が揃った材料を製造する方法。

IPC (3件)：

C30B 29/52 ,  C22C 1/00 ,  C22C 1/02 501

FI (3件)：

C30B 29/52 ,  C22C 1/00 S ,  C22C 1/02 501 Z

Fターム (12件)：

4G077AA02 ,  4G077AB05 ,  4G077AB10 ,  4G077BE50 ,  4G077CD08 ,  4G077CD10 ,  4G077EC02 ,  4G077EC05 ,  4G077EC07 ,  4G077EH07 ,  4G077EJ02 ,  4G077HA03