GaN系半導体発光素子の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-230415
公開番号（公開出願番号）：特開2007-048869
出願日： 2005年08月09日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：

【課題】InxGa(1-x)Nから成る活性層におけるxの値を、確実に安定して所望の値とすることができるGaN系半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】GaN系半導体発光素子の製造方法は、無極性面である下地上に、(A)第1導電型を有し、頂面がA面である第1GaN系化合物半導体層、(B)InxGa(1-x)Nから成り、頂面がA面である活性層、及び、(C)第2導電型を有し、頂面がA面である第2GaN系化合物半導体層を、順次、結晶成長させる工程を具備し、活性層を、成長速度0.3nm/秒以上、好ましくは、成長速度0.6nm/秒以上にて結晶成長させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

無極性面である下地上に、 (A)第1導電型を有し、頂面がA面である第1GaN系化合物半導体層、 (B)InxGa(1-x)Nから成り、頂面がA面である活性層、及び、 (C)第2導電型を有し、頂面がA面である第2GaN系化合物半導体層、を、順次、結晶成長させる工程を具備したGaN系半導体発光素子の製造方法であって、活性層を、成長速度0.3nm/秒以上にて結晶成長させることを特徴とするGaN系半導体発光素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 33/00 , H01S 5/323 , H01L 21/205

FI (3件)：

H01L33/00 C , H01S5/323 610 , H01L21/205

Fターム (32件)：

5F041AA03 , 5F041AA11 , 5F041AA40 , 5F041AA44 , 5F041CA04 , 5F041CA23 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB17 , 5F045AC07 , 5F045AC12 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AF09 , 5F045CA10 , 5F045DA53 , 5F045EE12 , 5F045GB19 , 5F173AF15 , 5F173AF40 , 5F173AH22 , 5F173AH44 , 5F173AP05 , 5F173AP19 , 5F173AQ12 , 5F173AQ14 , 5F173AQ15 , 5F173AQ16 , 5F173AR03 , 5F173AR81 , 5F173AR92

引用特許：

出願人引用 (1件)

発光デバイスからの光取り出し改良のための核形成層
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-329081 出願人：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー

審査官引用 (6件)

半導体発光素子、光半導体素子、発光ダイオード及び表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-038138 出願人：富士通株式会社
化合物半導体基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-108017 出願人：ソニー株式会社, 日本電気株式会社
半導体基板およびその作製方法および発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-032694 出願人：株式会社リコー

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