特許

J-GLOBAL ID：200903037202372445

ダイヤモンド整流素子

発明者： 宮田 浩一 ,  斉藤 公続 ,  デービッド・レイン・ドレイフェス
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所 ,  コウベ・スチール・ユーエスエイ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-315586
公開番号（公開出願番号）：特開平7-050424
出願日： 1993年12月15日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：

【要約】【目的】 電気的特性が優れていると共に、大量生産が可能で低コストのダイヤモンド整流素子を提供する。【構成】 基板のシリコンウエハ1の上に、気相合成によって下地層としての絶縁性ダイヤモンド薄膜2と、動作層としての半導体ダイヤモンド薄膜3が形成されている。そして、この半導体ダイヤモンド薄膜3の上にAu/Ti積層オーミック電極5が形成され、更に、半導体層3の上に絶縁性ダイヤモンド薄膜4を介してAu電極6が形成されている。このダイヤモンド薄膜は、その薄膜表面積の80%以上がダイヤモンドの(100)結晶面から構成されており、隣接する(100)結晶面について、各結晶面方位を表すオイラー角{α,β,γ}の差{△α,△β,△γ}が|△α|≦5°、|△β|≦5°、|△γ|≦5°を同時に満足する高配向性膜である。

請求項（抜粋）：

気相合成によって形成されたダイヤモンド薄膜からなる半導体層と、この半導体層の一方の面側に又は前記半導体層を挟むように設けられた1対の電極とを有するダイヤモンド整流素子において、前記ダイヤモンド薄膜は、その薄膜表面積の80%以上がダイヤモンドの(100)結晶面から構成されており、隣接する(100)結晶面について、各結晶面方位を表すオイラー角{α,β,γ}の差{△α,△β,△γ}が|△α|≦5°、|△β|≦5°、|△γ|≦5°を同時に満足する高配向性膜であることを特徴とするダイヤモンド整流素子。

IPC (2件)：

H01L 29/861 ,  H01L 21/314

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-278474
  
• 特開平4-026161
  
• 特開平3-120865
  
• 特開昭63-224225