特許

J-GLOBAL ID：200903037203117694

接着基板及びその製造方法

発明者： 冨田 真一
出願人/特許権者： 住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 森 正澄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-013373
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213593
出願日： 1996年01月29日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【目的】 製造費及び製造時間が低減され、しかもボイドフリーの良品を得る率が増大する接着基板及びその製造方法を得ること。【構成】 第1の半導体ウエーハ2と第2の半導体ウエーハ1を接着して形成される接着基板の製造方法において、主面が鏡面研磨された第1の半導体ウエーハと、厚みが前記第1の半導体ウエーハの2/3以下で主面が鏡面研磨された第2の半導体ウエーハとを用意して、前記双方半導体ウエーハの主面同士を密着し、その後、熱処理して接着する工程と、前記第2の半導体ウエーハを裏面より薄膜化し、その面を鏡面化する工程と、を備えた接着基板の製造方法と、このようにして製造された接着基板の、第2の半導体ウエーハ1の層の直径が第1の半導体ウエーハ2の直径より4mm以内で小さい構成の接着基板。

請求項（抜粋）：

第1の半導体ウエーハと第2の半導体ウエーハを接着して形成される接着基板において、主面が鏡面研磨された第1の半導体ウエーハと、厚みが前記第1の半導体ウエーハの2/3以下で主面が鏡面研磨された第2の半導体ウエーハとの双方の主面同士を密着するとともに熱処理して接着し、更に、前記第2の半導体ウエーハを裏面より薄膜化し且つその面を鏡面化してなる接着基板の、前記第2の半導体ウエーハの層の直径が前記第1の半導体ウエーハの直径より4mm以内で小さいことを特徴とする接着基板。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 21/02 B ,  H01L 21/304 321 S ,  H01L 27/12 B