特許

J-GLOBAL ID：200903037204196075

半導体パッケージ

発明者： 下戸 直典 ,  松井 孝二
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-310512
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161867
出願日： 1993年12月10日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】 漏れ電流、あるいは特性インピーダンスのミスマッチングによるノイズの発生を大幅に低減でき、より高速な信号を伝送をすることができる半導体パッケージを提供する。【構成】 エポキシ、あるいはビスマレイミド-トリアジンレジン(BTレジン)などの樹脂をガラスクロスに含浸してなるプリント基板1の内層にプレート構造の電源層2を設け、表層にプレート構造のグランド層3を形成し、そのうえに銅薄膜導体4とベンゾシクロブテン5からなる薄膜多層信号配線6を形成する。

請求項（抜粋）：

耐熱性樹脂をガラスクロスに含浸した基材を積層してなるプリント基板の表層にプレート構造の金属グランド層を設け、その上にシラン系カップリング剤を塗布したのちベンゾシクロブテン樹脂を層間絶縁膜に用いた薄膜多層配線を形成したことを特徴とする半導体パッケージ。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  H05K 1/03 ,  H05K 3/46

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-277294
  
• 特開平4-171796
  
• 特開平4-352387