特許
J-GLOBAL ID：200903037209475550
透明導電膜のパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-122223
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333440
出願日： 1993年05月25日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】低抵抗で高透過率を有するパターン化した透明導電膜を簡単に安価に得られる透明導電膜のパターン形成方法を提供することを目的とする。【構成】炭素粉末をフィラーとするレジストインクを、透明導電膜形成用組成物の熱分解により基板1上に形成された透明導電膜2の表面に印刷し、前記レジストインクを熱または光により硬化させ、レジストパターン3を形成する。次に、前記透明導電膜2をエッチングし、透明導電膜2がエッチングによりパターン化された基板1を加熱処理する。最後に、熱分解後に残った炭素粉末等のレジストの残渣を除去し、パターン化された透明導電膜4を得る。
請求項（抜粋）：
炭素粉末をフィラーとするレジストインクを、透明導電膜形成用組成物の熱分解により基板上に形成された透明導電膜の表面に印刷する工程と、前記レジストインクを熱または光により硬化させる工程と、前記透明導電膜をエッチングする工程と、前記基板を加熱処理する工程と、前記レジストインクの残渣を除去する工程を備えたことを特徴とする透明導電膜のパターン形成方法。
IPC (4件)：
H01B 13/00 503
, C04B 41/91
, G02F 1/1343
, H01B 5/14
