特許

J-GLOBAL ID：200903037212788739

半導体製造プロセスにおけるシミュレーション方法、不純物拡散領域の形成方法、及び熱処理装置

発明者： 大谷 秀樹
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-303187
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139044
出願日： 1994年11月11日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】【目的】 簡便かつ高速な手法によりドーズ量依存性を考慮した不純物導入及び熱拡散領域の不純物濃度分布のシミュレーションを行うことができるシミュレーション方法を提供し、ドーズ量依存性を考慮してイオン注入及び熱拡散を実現できる不純物拡散領域の形成方法及び熱処理装置を提供する。【構成】 半導体製造プロセスにおいて、半導体基板に不純物を導入し、RTA等の熱処理により不純物を拡散させる際、不純物の濃度分布を、少なくとも導入された不純物の総量(ドーズ)に基づく計算を含む工程によりシミュレートするもので、その熱処理プロセスにおいて、導入された不純物の総量を測定し(2)、これについてパラメータの抽出(3)及び計算(5)を行い、サンプルは必要に応じ熱処理装置部(1)で形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に不純物を導入し、熱処理を行って不純物を拡散させて不純物拡散領域を得る場合について、該不純物拡散領域の不純物の濃度分布を、少なくとも導入された不純物の総量に基づく計算を含む工程によりシミュレートすることを特徴とする半導体製造プロセスにおけるシミュレーション方法。

IPC (3件)：

H01L 21/22 ,  G06F 17/00 ,  G06F 17/50

FI (2件)：

G06F 15/20 D ,  G06F 15/60 636 D