シリカ質パターンの形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石田敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-250172
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098036
出願日： 1996年09月20日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】簡便なシリカ質パターンの形成方法を提供すること。【解決手段】 (A)特定のポリシラザン又はその変性物を基材に塗布する工程;(B)工程(A)で得られたポリシラザン塗膜の表面の所定の領域を疎水性材料で被覆する工程;(C)前記疎水性材料で被覆されていないポリシラザン塗膜にアミン化合物及び水を接触させて該ポリシラザンの少なくとも一部をシリカへ転化する工程;(D)前記疎水性材料とその下部のポリシラザン塗膜とを溶解除去する工程;並びに、必要に応じて、(E)前記シリカを含む塗膜をさらに酸化する工程を含むことを特徴とするシリカ質パターンの形成方法。

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(I):【化1】(式中、R1 、R2 及びR3 は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、またはこれらの基以外でケイ素に直結する基が炭素である基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アルコキシ基を表わすが、但し、R1 とR2 の少なくとも一方は水素原子である)で表わされる構造単位からなる主骨格を有する数平均分子量100〜5万のポリシラザン又はその変性物を基材に塗布する工程;(B)工程(A)で得られたポリシラザン塗膜の表面の所定の領域を疎水性材料で被覆する工程;(C)前記疎水性材料で被覆されていないポリシラザン塗膜にアミン化合物及び水を接触させて該ポリシラザンの少なくとも一部をシリカへ転化する工程;(D)前記疎水性材料とその下部のポリシラザン塗膜とを溶解除去する工程;並びに、必要に応じて、(E)前記シリカを含む塗膜をさらに酸化する工程を含むことを特徴とするシリカ質パターンの形成方法。

前のページに戻る