特許

J-GLOBAL ID：200903037220305399

修飾電極及び電極修飾法

発明者： 斉藤 和裕 ,  鎌田 俊英 ,  田野 隆徳
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-153163
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353165
出願日： 2001年05月22日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：

【要約】【課題】 貴金属を用いることなく、薄膜形成エネルギーの小さい金属的導電体と金属的導電性を有する有機化合物を用いて、比較的低温で加工でき、簡易かつ安全に仕事関数の大きい良好な修飾電極を容易に提供する。【解決手段】 仕事関数の小さい導電体の表面に、テトラチアフルバレン・テトラシアノキノジメタン錯体を含む薄膜を備えた修飾電極及びその電極修飾法である。この修飾電極を備えた太陽電池、有機EL素子或いはトランジスタは、大量に安価に製造できるから、工業的生産性に寄与するものである。

請求項（抜粋）：

仕事関数の小さい導電体の表面に、テトラチアフルバレン・テトラシアノキノジメタン錯体を含む薄膜を備えたことを特徴とする修飾電極。

IPC (6件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/872 ,  H01L 31/04 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/26

FI (7件)：

H01L 21/28 301 Z ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/26 A ,  H01L 29/48 D ,  H01L 31/04 D ,  H01L 29/78 616 U ,  H01L 29/78 616 V

Fターム (40件)：

3K007AB06 ,  3K007AB18 ,  3K007CA01 ,  3K007CC00 ,  3K007FA01 ,  4M104AA01 ,  4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD34 ,  4M104DD51 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104GG20 ,  4M104HH20 ,  5F051AA11 ,  5F051BA14 ,  5F051CB27 ,  5F051DA06 ,  5F051FA06 ,  5F051FA07 ,  5F051FA13 ,  5F051GA03 ,  5F110AA30 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE03 ,  5F110EE14 ,  5F110EE41 ,  5F110EE43 ,  5F110HK01 ,  5F110HK03 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32