薄膜トランジスタの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-356189
公開番号（公開出願番号）：特開2002-158361
出願日： 2000年11月22日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：

【要約】【課題】2槽のアルカリ洗浄槽を備えるバッチ式洗浄装置では、アルカリ濃度が低下すると洗浄効果は低くなるため、定期的に液交換をする必要がある。液交換直後は2槽共にアルカリ濃度が高いため基板表面に付着した付着物に対する洗浄効果は高いが、このアルカリ濃度の高い液をチャネルエッチング後のバックチャネル部の微細制御洗浄に用いた場合、バックチャネル表面状態の変化(アルカリ洗浄液の跡がバックチャネル部に残る)により素子特性にばらつきが生じて、表示ムラの発生率が高くなるという問題があった。【解決手段】2槽のアルカリ洗浄槽のうち、2槽目のアルカリ洗浄槽20のアルカリ濃度を1槽目のアルカリ洗浄槽10のアルカリ濃度よりも低く設定することにより、バックチャネル部におけるアルカリ洗浄液跡の発生を抑制し、アルカリ洗浄液跡に基因する表示ムラを低減することができる。

請求項（抜粋）：

基板の上に堆積させたゲート絶縁膜の上に半導体膜パターンを形成する工程と、前記半導体膜パターンを覆って前記ゲート絶縁膜の上に金属膜を堆積させた後、前記金属膜をパターニングして前記半導体膜パターンと一部重なるソース・ドレイン電極を形成し、続いて、前記ソース・ドレイン電極をマスクとして前記半導体膜パターンをその表面から一部エッチング除去して半導体膜パターンにバックチャネル領域を形成する工程と、前記基板をアルカリ洗浄槽に浸して前記バックチャネル領域の表面を洗浄すると同時にスライトエッチングする工程とを有する薄膜トランジスタの製造方法であって、前記アルカリ洗浄槽は、第1槽目に第1アルカリ洗浄槽を第2槽目に第2アルカリ洗浄槽を有し、かつ、前記バックチャネル領域の洗浄以外のTFTの洗浄工程でも使用される構成であり、洗浄作業前のアルカリ濃度の初期設定において、前記第1アルカリ洗浄槽は、前記第2アルカリ洗浄槽よりも高いアルカリ濃度に設定されることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , B08B 3/08 , B08B 3/10 , H01L 21/304 642 , H01L 21/308

FI (6件)：

B08B 3/08 Z , B08B 3/10 Z , H01L 21/304 642 B , H01L 21/308 G , H01L 29/78 627 Z , H01L 29/78 627 C

Fターム (29件)：

3B201AA01 , 3B201AB01 , 3B201BB82 , 3B201BB92 , 3B201BB93 , 3B201CB15 , 3B201CC01 , 3B201CC11 , 5F043AA02 , 5F043BB04 , 5F043BB27 , 5F043EE02 , 5F043EE22 , 5F043EE23 , 5F110AA26 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110DD02 , 5F110EE04 , 5F110FF03 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG35 , 5F110HK04 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110HK42 , 5F110QQ30

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