半導体装置の微細パターン製造法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村暁秀 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-276671
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235485
出願日： 1994年11月10日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：

【要約】【目的】本発明の目的は、半導体基板上に縮小露光装置の分解能以下の精密な微細パターンを形成し、半導体装置の集積度を向上させることができる半導体装置の微細パターン製造方法を提供することにある。【構成】本発明は、半導体基板の上部の一平面上に形成する多数の微細パターン等を飛越選択して第1及び第2露光マスクを形成する工程と、前記半導体基板の上部に有機物質層を塗布する工程と、前記第1露光マスクを用いて前記有機物質層をパターンニングする工程と、前記有機物質層パターンの上部に感光膜を形成する工程と、前記第2露光マスクを用いて前記感光膜をパターンニングし、前記有機物質層パターンの間に感光膜パタ-ンを形成する工程を含む。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上部の一平面上に形成する多数の微細パターン等を飛越選択して第1及び第2露光マスクを形成する工程と、前記半導体基板の上部に有機物質層を塗布する工程と、前記第1露光マスクを用いて前記有機物質層をパターンニングする工程と、前記有機物質層パターンの上部に感光膜を形成する工程と、前記第2露光マスクを用いて前記感光膜をパターンニングし、前記有機物質層パターン間に感光膜パターンを形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の微細パターン製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , G03F 7/26 511

FI (3件)：

H01L 21/30 502 C , H01L 21/30 507 R , H01L 21/30 514 C

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