特許
J-GLOBAL ID：200903037239181801
レジストパターンの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 俊一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-037161
公開番号（公開出願番号）：特開平6-250392
出願日： 1993年02月26日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【構成】 iso-プロペニルオキシカルボニル基と、該iso-プロペニルオキシカルボニル基と反応しうる官能基とを有する化合物と、光照射または電離放射線照射により酸を発生する化合物とからなるパターン形成材料を被処理基板上に塗布した後に乾燥し、次いで、iso-プロペニルオキシカルボニル基と、該iso-プロペニルオキシカルボニル基と反応しうる官能基とが反応しうる温度に加熱して架橋型レジスト膜を作り、該レジスト膜に光または電離放射線をパターン状に照射した後に、アルカリ性水溶液で現像することを特徴としている。【効果】 本発明によれば、高コントラスト・高感度でポジ型レジストを形成することが可能になる。
請求項（抜粋）：
iso-プロペニルオキシカルボニル基と、該iso-プロペニルオキシカルボニル基と反応しうる官能基とを有する化合物と、光照射または電離放射線照射により酸を発生する化合物とからなるパターン形成材料を被処理基板上に塗布した後に乾燥し、次いで、iso-プロペニルオキシカルボニル基と、該iso-プロペニルオキシカルボニル基とが反応しうる温度に加熱して架橋型レジスト膜を作り、該レジスト膜に光または電離放射線をパターン状に照射した後に、アルカリ性水溶液で現像することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (4件)：
G03F 7/039
, G03F 7/004 503
, G03F 7/38 501
, H01L 21/027
