特許

J-GLOBAL ID：200903037239370167

高耐圧半導体装置およびその製造方法

発明者： 井元 晋也
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 古谷 栄男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-147309
公開番号（公開出願番号）：特開平8-018041
出願日： 1994年06月29日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 高耐圧を満足しつつ低いオン抵抗の高耐圧MOSトランジスタを提供する。【構成】 ドリフトドレイン領域7に所定の電圧が印加された場合にキャップ領域8とドリフトドレイン領域7との間の上部空乏層のうち、キャップ領域8側へ伸びる空乏層の厚みよりもキャップ領域8の厚みが薄くなるよう、ドレインドリフト領域7とキャップ領域8との不純物濃度の比が決定されている。このようにして、キャップ領域8が完全空乏化することにより、ドリフトドレイン領域7におけるチャネル方向の電位分布だけでなく、キャップ領域8におけるチャネル方向の電位分布も均一となる。したがって、ドレイン3近傍の表面にて電界集中が起こることを防止でき、高耐圧を得られる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1領域を有する半導体基板、前記半導体基板の前記第1領域表面に形成された第2導電型の第2領域、前記第2領域に形成された第1導電型の不純物領域、を備え、前記第2領域に所定の電圧が印加されると、前記不純物領域と前記第2領域との間の上部空乏層が、前記半導体基板の前記第1領域と前記第2領域との間の下部空乏層とつながり、前記第2領域に連結空乏層が形成される高耐圧半導体装置において、前記所定の電圧が印加された場合に前記上部空乏層のうち前記不純物領域側へ伸びる空乏層の厚みの方が前記不純物領域の厚みよりも厚くなるように、前記不純物領域の不純物濃度およびその厚みが決定されていること、を特徴とする高耐圧半導体装置。