特許

J-GLOBAL ID：200903037239418690

ポリシリコン薄膜トランジスタ

発明者： 瀬戸 俊祐 ,  川久 慶人
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-244121
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092836
出願日： 1995年09月22日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】【課題】 レーザ活性化工程におけるゲート電極とゲート絶縁膜の剥離を防止することにより、高歩留まり且つ高性能のポリシリコン薄膜トランジスタを提供すること。【解決手段】 本発明によるポリシリコン薄膜トランジスタは、レーザ活性化の際のレーザ波長をλ[nm]、この波長に対する単結晶シリコンの複素屈折率をn1 +ik1 、ゲート絶縁膜及び層間絶縁膜の屈折率をn2 としたとき、ゲート絶縁膜及び層間絶縁膜の膜厚の合計値d[nm]は以下の条件を満足している。【数1】但し、Lは0以上の整数、|Δ|≦30、iは虚数単位を表す。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上にチャネルポリシリコン層、チャネルポリシリコン層内に形成されたソース・ドレイン領域、ゲート絶縁膜、ゲート電極、層間絶縁膜及びソース・ドレイン配線層を順に備え、前記ソース・ドレイン領域は、前記ゲート電極の形成後のイオン打ち込み、及び前記層間絶縁膜の形成後のレーザ照射による活性化により形成されるトップゲート型ポリシリコン薄膜トランジスタにおいて、前記活性化の工程におけるレーザ波長をλ[nm]、当該波長での単結晶シリコンの複素屈折率をn<SB>1</SB> +ik<SB>1</SB> 、ゲート絶縁膜及び層間絶縁膜の屈折率をn<SB>2</SB>[nm]としたとき、ゲート絶縁膜及び層間絶縁膜の合計膜厚d[nm]が、式1で表されることを特徴とするポリシリコン薄膜トランジスタ。【数1】但し、Lは0以上の整数、|Δ|≦30、iは虚数単位を表し、Arg(Z)は、複素数Z=r・exp(iθ)に対して、Arg(Z)=θ、0≦θ<2π、となる関数を表す。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500

FI (3件)：

H01L 29/78 617 S ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 627 G