特許
J-GLOBAL ID:200903037239530075

ワイヤボンディングを施すための配線基板を製造する方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 足立 勉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-027023
公開番号(公開出願番号):特開平10-219469
出願日: 1997年02月10日
公開日(公表日): 1998年08月18日
要約:
【要約】【課題】 配線基板の表層である金層にワイヤボンディングを施したとき、ニッケル-リン合金層と金層との間で剥離が起きることがない。【解決手段】 絶縁基板2上にメタライズ金属層3を一体的に形成し、この上に還元型の無電解めっきによりニッケル-ホウ素合金層4を被着形成し、次いでこの上に還元型の無電解めっきによりニッケル-リン合金層5を被着形成した。次いで600〜700°Cでシンタリングを行い、その後、置換型無電解金めっきにより金層6のうち第1金層6aを被着形成し、更に還元型無電解金めっきにより金層6のうち第2金層6bを被着形成した。この電子部品用パッケージ本体1の表層である金層6にワイヤボンディングを施した場合、ニッケル-リン合金層5と金層6との間で剥離が起きることはなかった。
請求項(抜粋):
表層にワイヤボンディングを施すための配線基板を製造する方法であって、素材上に還元型の無電解めっきによりニッケル-リン合金層を形成するNi-P形成工程と、このニッケル-リン合金層を600〜700°Cで処理するシンタリング工程と、シンタリング後のニッケル-リン合金層に無電解めっきにより表層としての金層を形成するAu形成工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
IPC (4件):
C23C 18/50 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 23/12 ,  H05K 3/18
FI (4件):
C23C 18/50 ,  H01L 21/60 301 A ,  H05K 3/18 J ,  H01L 23/12 W

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