特許

J-GLOBAL ID：200903037239887658

半導体装置とその製造方法および研磨方法ならびに研磨装置および研磨装置の研磨面の再生方法

発明者： 小寺 雅子 ,  矢野 博之 ,  重田 厚 ,  矢島 比呂海 ,  青木 利一郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-016266
公開番号（公開出願番号）：特開平11-265865
出願日： 1993年10月20日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置表面の凹部や凸部の存在にもかかわらず高精度な平坦化が可能であり、高い歩留まり、 高信頼性の半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 半導体基板201上に導電膜203を形成し、前記導電膜203を選択的に除去して凹部215、216を形成する。更に、前記凹部215、216を有する導電膜203上に、少なくとも前記凹部215、216の高さ以上に絶縁膜217を形成する。そして、導電膜203をストッパーとして、前記絶縁膜217を、酸化セリウムを含む研磨剤を用いて研磨除去させることによって、前記導電膜203を及び前記絶縁膜217の表面平滑化を行う。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された被加工層を研磨する半導体装置の製造方法において、被加工層と研磨剤の保持された定盤との間の摩擦を研磨中に測定し、この摩擦をもとに被加工層の研磨速度を算出し、この研磨速度を時間で積分してゆき研磨量を求め、この研磨量が所定量となった時点で研磨を終了させることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/304 622 S ,  H01L 21/88 K

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-289656
  
• 特開昭64-087146