特許

J-GLOBAL ID：200903037240533711

高導電率相互接続を形成する方法

発明者： ホルマジャー・ミノシャー・ダラル ,  デュ・ビン・グーエン ,  ハザラ・シング・ラソール
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-116436
公開番号（公開出願番号）：特開平10-340955
出願日： 1998年04月27日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：

【要約】【課題】 改良された製造歩留まり,信頼性,回路性能を有する0.5ミクロン以下の大きさの相互接続回路を製造する。【解決手段】 本発明は、半導体製造の分野に関し、特に、集積回路のための0.5ミクロン以下のマルチレベル相互接続構造を形成する方法に関する。本発明の構造および方法は、スパイクがなく、その結果、改良された回路性能,信頼性,製造歩留まりを得る。本発明の構造および方法は、複数の絶縁体層を有し、隣接する絶縁体層の各々は、異なる材料よりなる。

請求項（抜粋）：

少なくとも一つの絶縁体層によって囲まれた少なくとも一つの露出された金属バイアプラグを有する基板の上に、高導電率相互接続を形成する方法において、(a)前記露出された金属バイアプラグおよび前記基板の上に、少なくとも一つの第1の絶縁体層と、前記第1の絶縁体層の上に少なくとも一つの第2の絶縁体層とを連続して付着する工程を含み、前記第1の絶縁体層の材料が前記第2の絶縁体層の材料と異なり、(b)前記第2の絶縁体層の上に第1のレベルの高導電率相互接続のパターンを画成する工程を含み、(c)前記第2の絶縁体層の少なくとも一部と、前記第1の絶縁体層の少なくとも一部とを連続してエッチングして、少なくとも一つの開口を形成し、および前記金属バイアプラグの少なくとも一部を露出する工程を含み、(d)前記少なくとも一つの開口内に前記第1のレベルの高導電率相互接続を形成するように、少なくとも一つの高導電率相互接続を付着する工程を含み、前記高導電率相互接続の少なくとも一部が、前記金属バイアプラグの少なくとも一部と直接電気的に接触し、これにより、前記基板上に前記高導電率相互接続を形成する、ことを特徴とする高導電率相互接続を形成する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/28 301 R

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 多層配線の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-238303   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-249984   出願人：株式会社東芝