特許
J-GLOBAL ID:200903037241635143

液晶表示用基板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 青山 葆 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-079612
公開番号(公開出願番号):特開平5-281573
出願日: 1992年04月01日
公開日(公表日): 1993年10月29日
要約:
【要約】【目的】 バックライト方式の表示が可能な液晶表示用基板を得る。【構成】 石英基板1上にSiO2膜2を介してP型単結晶シリコン基板を接合し、薄膜状に加工してP型単結晶シリコン膜3'を形成する。さらに、ゲート膜となるSiO24およびゲート部となるポリシリコン膜5を形成する。続いてリンのイオン注入を行って活性化アニール処理を行う。そうした後、不要箇所のP型単結晶シリコン膜3'およびSiO2膜2を除去してSiO2膜6を形成して窓開け後、ゲート線となる配線電極を形成する。更に絶縁膜7で被覆して窓開けした後、ソース線となる配線電極8を形成し、各画素のパターンに透明電極9を形成する。こうして、透明な石英基板1上におけるMOSトランジスタを形成しない箇所のP型単結晶シリコン膜3'を除去して画素領域に光透過性を持たせることによって、バックライト方式の表示が可能な液晶表示用基板を得る。
請求項(抜粋):
透明基板上における能動素子形成箇所に所定の厚みを有する単結晶半導体膜を設け、この単結晶半導体膜上に能動素子を形成したことを特徴とする液晶表示用基板。
IPC (5件):
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1333 ,  G02F 1/1335 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784

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