特許
J-GLOBAL ID：200903037244497795
結晶成長方法および薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-147041
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333826
出願日： 1993年05月25日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、非晶質の半導体層の所定領域に応力集中領域を形成することで、固相成長法によって、所定の領域に結晶成長を行うことを可能にし、この結晶を用いて、素子特性に優れたTFTの結晶を図る。【構成】 結晶成長方法は、基体13上に凹状または凸状の応力誘起部14を形成し、次いで応力誘起部14を含む上記基体13上に非晶質の半導体層15を堆積して、応力誘起部14の近傍における非晶質の半導体層15に応力集中領域16を形成し、その後固相成長法によって、応力集中領域16を核にして結晶17を成長させて結晶質の半導体層18を形成する。あるいは非晶質の半導体層15の表面側に凹状の応力誘起部14を形成して結晶17を成長させてもよい。また図示はしないが、TFTの製造方法において、上記結晶成長方法を用いてTFTのチャネル領域やソース・ドレイン領域を設ける層を形成する。
請求項（抜粋）：
局部的に応力集中領域を有する非晶質の半導体層を形成した後、固相成長法によって、前記応力集中領域を核にして結晶を成長させて、多結晶あるいは単結晶よりなる結晶質の半導体層を形成することを特徴とする結晶成長方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20
, H01L 21/336
, H01L 29/784
