特許

J-GLOBAL ID：200903037247842965

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

発明者： 門村 新吾
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-028526
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222549
出願日： 1995年02月16日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】 CuやPt等、反応生成物の蒸気圧が小さい難エッチング材料を実用的なエッチングレートで、残渣をともなわずに均一に異方性エッチングする装置および方法を提供する。【構成】 被処理基板1を、プラズマ発生室5の平坦な閉鎖端面5a上の光照射加熱手段10で加熱しつつ、RFアンテナ6で励起した誘導結合プラズマによりプラズマ処理する。閉鎖端面5a内に接地電極11を配設してもよい。【効果】 高密度プラズマと、短時間の基板加熱により、再拡散や酸化等の素子劣化を伴うことなく、上記目的が達成できる。基板ステージ加熱手段3により実プロセス温度以下に被エッチング基板を制御しておけば、この効果は徹底される。プラズマCVDに用いてもよい。

請求項（抜粋）：

誘電体材料からなり、開放端面と、略平坦な閉鎖端面を有する円筒の外周にRFアンテナを巻回したプラズマ発生室と、前記プラズマ発生室の前記開放端面に連接するとともに、被処理基板を載置した基板ステージを内部に配設したプラズマ処理室を具備するプラズマ処理装置であって、前記プラズマ発生室の前記閉鎖端面外側の前記被処理基板を臨む位置に、前記被処理基板への光照射加熱手段を配設したことを特徴とする、プラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (6件)：

H01L 21/302 B ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 G ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 L ,  H05H 1/46 A