半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-182322
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029533
出願日： 1991年07月23日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】【目的】半導体装置に関し、より詳しくは、積層型の半導体集積回路装置に関し、積層により高密度化を図るとともに、信頼性の高い素子間接続を得ること及び放熱を向上することができる半導体装置を提供することを目的とする。【構成】基体1a〜1n上の半導体チップ3a〜3nと、その周辺部の絶縁層4a〜4n上の配線パッド6a〜6nと、半導体チップ3a〜3nと配線パッド6a〜6nとを接続する配線層5a〜5nとを有する複数の回路形成基板32a〜32nが、絶縁物7a〜7nを介して積層され、配線パッド6a〜6nの位置に対応するように、積層された複数の回路形成基板32a〜32n及び絶縁物7a〜7nを貫通して接続孔8が形成され、接続すべき回路形成基板32a〜32nの配線層5a〜5nを、配線パッド6a〜6nを介して互いに接続する導電物9が接続孔8の内壁に形成されていることを含み構成する。

請求項（抜粋）：

素子の形成された半導体チップ又はウエハが積載された基体と、該積載された半導体チップ又はウエハの周囲の基体上の絶縁層と、該絶縁層上の配線パッドと、前記半導体チップ又はウエハと前記配線パッドとを接続する前記絶縁層上の配線層とを有する複数の回路形成基板が、絶縁物を介在して積層され、前記各回路形成基板間で接続すべき配線層の配線パッドの位置に対応するように、積層された複数の回路形成基板及び絶縁物を貫通して接続孔が形成され、前記接続すべき回路形成基板の配線層を、前記配線パッドを介して互いに接続する導電物が前記接続孔の内壁に形成されている半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/522 , H01L 25/065 , H01L 25/07 , H01L 25/18

FI (2件)：

H01L 23/52 B , H01L 25/08 Z

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