特許
J-GLOBAL ID:200903037254495545

保護素子およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-194048
公開番号(公開出願番号):特開2002-015649
出願日: 2000年06月28日
公開日(公表日): 2002年01月18日
要約:
【要約】【課題】 一対の導体間に低融点合金を接続してフラックスで被覆し、絶縁封止材で封止した温度ヒューズ、抵抗付きヒューズ、電流ヒューズ、温度ヒューズ兼電流ヒューズ等の保護素子における低融点合金の製造の容易化を図る。【解決手段】 絶縁基板1に形成した電極2、3の外方端部にリード4、5を接続し、電極2、3の内方端部にまたがって溶融状態の低融点合金を射出して形成した低融点合金6を接続し、低融点合金6をフラックス7で被覆して、上方から絶縁キャップ8を被せて、封止樹脂9で固着封止した。
請求項(抜粋):
一対の導体間に溶融状態の低融点合金を射出して形成した低融点合金を有し、この低融点合金をフラックスで被覆し、さらに絶縁材で封止したことを特徴とする保護素子。
IPC (3件):
H01H 37/76 ,  H01H 69/02 ,  H01H 85/48
FI (3件):
H01H 37/76 P ,  H01H 69/02 ,  H01H 85/48
Fターム (10件):
5G502AA01 ,  5G502AA02 ,  5G502BB10 ,  5G502BB13 ,  5G502BC02 ,  5G502BC12 ,  5G502BD13 ,  5G502EE01 ,  5G502JJ01 ,  5G502JJ02

前のページに戻る