特許
J-GLOBAL ID：200903037256937057
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-293437
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153785
出願日： 1994年11月28日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：
【要約】【目的】 多層配線の微細化と高信頼性化を可能にする。【構成】 半導体基板上に絶縁膜(11)を介して配線材料膜(12)を形成し、全面にレジスト膜(13)を形成する工程と、前記レジスト膜(13)を全面露光した後に選択的に露光して、なだらかな傾斜を有するレジスト膜(13A)を形成する工程と、前記レジスト膜(13A)をマスクにして前記配線材料膜(12)をエッチング・除去し、傾斜を有する下層配線層(14)を形成する工程と、全面に層間絶縁膜(15)を形成し、前記下層配線層(14)上の層間絶縁膜(15)にコンタクト孔(16)を形成する工程と、前記コンタクト孔(16)において前記下層配線層(14)と接続する上層配線層(17)を形成する工程を有する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁膜を介して配線材料膜を形成し、全面にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜を全面露光した後に選択的に露光して、なだらかな傾斜を有するレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜をマスクにして前記配線材料膜をエッチング・除去し、傾斜を有する下層配線層を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を形成し、前記下層配線層上の層間絶縁膜にコンタクト孔を形成する工程と、前記コンタクト孔において前記下層配線層と接続する上層配線層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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