特許

J-GLOBAL ID：200903037258841375

光歪バイモルフの製造方法

発明者： 山本 啓介 ,  遠山 修 ,  東山 恵三
出願人/特許権者： 三菱電線工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-145399
公開番号（公開出願番号）：特開平7-337052
出願日： 1994年06月03日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】 超小型・超薄型で、高応答性の光歪バイモルフを容易に得ることができる製造方法を提供すること。【構成】 基板1上に互いに離間した第一の電極パターン21,22を形成し、その上に光歪材組成物からなる第一の光歪材膜3を前記電極パターンの夫々に接するように成膜する。続いて絶縁膜4を被着し、前記と同様にしてその上に第二の電極パターン51,52、及び第二の光歪材膜6を成膜する。これらの工程中若しくはこれらの工程後に光歪材膜の焼結を行う。そして、前記の電極パターンに夫々極性の異なる電圧を印加して前記第一及び第二の光歪材膜3,6を異なる方向に分極させ、最後に第一及び第二の電極パターンを導通させることにより光歪バイモルフが完成する。

請求項（抜粋）：

絶縁膜の両面に光歪材膜を備える積層体を成膜手段で形成する工程、及び前記光歪材膜に夫々極性の異なる電圧を印加して互いに異なる方向に分極させる工程とを含むことを特徴とする光歪バイモルフの製造方法。