特許

J-GLOBAL ID：200903037258992900

アライメントマークの周辺構造

発明者： 庄野 朋文
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-175654
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012432
出願日： 1998年06月23日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】 第1層間膜の膜厚のばらつきにかかわらず、アライメントマークの反射光の信号波形をほぼ一定にする。【解決手段】 半導体基板1上に形成した1層目配線2の一部分の加工によりアライメントマーク3が形成され、1層目配線2上に第1層間膜4が形成され、さらに第1層間膜4上に2層目配線を介在させて第2層間膜5が形成されたという構造を基本とし、アライメントマーク3およびその周辺の上部において第1層間膜4に開口部6が形成され、第2層間膜5はその開口部6において1層目配線2上に形成された構造となっている。第1層間膜4の膜厚がばらついたときでも、アライメントマーク3の上部には第1層間膜4がないために、アライメントマーク3の反射光の信号波形7は、第1層間膜4の膜厚ばらつきの影響を受けずに、常にほぼ一定にすることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成した1層目配線の一部分の加工によりアライメントマークが形成され、前記1層目配線上に第1層間膜が形成され、さらに第1層間膜上に2層目配線を介在させて第2層間膜が形成されたアライメントマークの周辺構造であって、前記アライメントマークおよびその周辺の上部において前記第1層間膜に開口部が形成され、前記第2層間膜は前記開口部において前記1層目配線上に形成されているアライメントマークの周辺構造。

FI (2件)：

H01L 21/30 502 M ,  H01L 21/30 522 Z

Fターム (6件)：

5F046EA11 ,  5F046EA12 ,  5F046EA17 ,  5F046EA19 ,  5F046EB01 ,  5F046FB18