特許

J-GLOBAL ID：200903037270104513

積層型太陽電池

発明者： 吉田 一郎 ,  吉田 一彦 ,  石川 岳史
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-073543
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235390
出願日： 1992年02月24日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】 車載用太陽電池として光透過機能を有し、且つ、初期エネルギー変換効率の向上と、長時間の太陽光照射による光劣化を小さくすること。【構成】 積層型太陽電池10は、光入射方向側となるガラス基板11上にTCO12、トップセル13、ボトムセル14及び裏面電極15が順次積層され、直列接続用電極17により接続されている。透光性を確保するためトップセル13は光学ギャップ 1.8eV以上のa-SiC:Hのi(真性)型層とし、ボトムセル14及び裏面電極15は一部を取り除いた。2つのpin光電変換素子単位のi型層膜厚を所定の膜厚範囲とし接触部を例えば、a-SiC:Hにボロンを添加した材料にてオーミック接触させる。これにより、本発明の積層型太陽電池は初期エネルギー変換効率を低減させることなく、光劣化を少なくできる。

請求項（抜粋）：

アモルファス半導体材料によりp型、i(真性)型及びn型の半導体膜を順次形成した2つのpin光電変換素子単位を積層して成る積層型太陽電池において、前記2つのpin光電変換素子単位間は対向する前記p型半導体膜又は前記n型半導体膜に不純物をヘビードープしてオーミック接触にて直接接合すると共に光入射方向側の前記pin光電変換素子単位の前記i(真性)型半導体膜の光学ギャップを少なくとも 1.8eV以上とし、他方の前記pin光電変換素子単位の一部分に光透過領域を形成することを特徴とする積層型太陽電池。