特許

J-GLOBAL ID：200903037271485472

位相シフトマスクを用いたパターン形成方法

発明者： 清水 秀夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-211473
公開番号（公開出願番号）：特開平6-095353
出願日： 1991年07月29日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】従来は位相シフト技術を適用できなかったパターンにも適用可能で、かつ、位相シフト部としてのサブパターンの配置ができなかったパターンへの応用も可能であり、よってパターン形状に拘らず高解像度パターンを得ることができる、位相シフトマスクを用いたパターン形成方法を提供するものである。【構成】?@少なくとも2回の露光を行い、いずれか1回の露光は位相シフトマスクを用いた露光であり、少なくとも他のいずれか1回の露光は上記位相シフトマスクの位相シフト境界部の光量補償の露光であることを特徴とする、位相シフトマスクを用いたパターン形成方法。?A基板上でのパターン間距離が2.4×λ/NA以下であるパターンを位相シフトマスクを用いて形成するパターン形成方法であって、少なくとも2回の露光のいずれか1回の露光は位相シフトマスクを用いた露光であることを特徴とする位相シフトマスクを用いた露光方法。

請求項（抜粋）：

第1,第2の少なくとも2回の露光を行い、少なくともいずれか1回の露光は位相シフトマスクを用いた露光であり、少なくとも他のいずれか1回の露光は上記位相シフトマスクの位相シフト境界部の光量補償の露光であることを特徴とする、位相シフトマスクを用いたパターン形成方法。

IPC (3件)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 301 C ,  H01L 21/30 311 W

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-173219
  
• 特開平4-162668
  
• 特開平4-076551
  
• 特開平4-337732