特許
J-GLOBAL ID:200903037274653694
干渉計装置、半導体処理装置ならびに基板表面位置の測定方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
頓宮 孝一 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-304131
公開番号(公開出願番号):特開平5-248817
出願日: 1992年11月13日
公開日(公表日): 1993年09月28日
要約:
【要約】【目的】 集積回路製造の際のエッチング又は付着工程中の薄膜の厚さの変化をモニタ且つ測定する。【構成】 基板20の処理表面21の位置を測定する干渉計10のコヒーレント光源12は、ビームスプリッタ16によって部分的に透過され且つ反射される光ビーム14を供給する。反射された光ビーム18は処理表面21から反射され、透過された光ビーム30は所定周波数で所定距離だけ振動するトランスレータ32から反射される。トランスレータ32から反射された光ビーム31と処理表面21から反射された光ビーム22の間の位相のずれは光検出器24で測定され、帰還サーボユニット28に対し出力信号26を供給する。サーボユニット28はトランスレータ32の振動を調節する出力信号38を供給し、この出力信号38はまた処理表面21の位置を指示する。
請求項(抜粋):
コヒーレント光の第1の光ビームを供給するための光源手段と、前記第1の光ビームを部分的に反射し且つ部分的に透過することによって、第2の光ビームと第3の光ビームをそれぞれ供給するビームスプリッタ手段と、前記第3の光ビームを反射することによって第4の光ビームを供給するために所定距離だけ移動する移動表面を有する移動手段と、前記所定距離を制御するために前記移動手段に対し帰還制御信号を供給する制御手段と、前記第2の光ビームを反射することによって第5の光ビームを供給するための測定されるべき位置としての基板表面と、前記第4のビームと前記第5のビーム間の位相のずれを測定するための前記第4と第5の光ビームに応答する測定手段であって、前記位相のずれは前記基板表面と前記移動表面との位置の差の関数であり、前記基板表面の相対位置を指示する測定信号を供給する測定手段と、を含む干渉計装置。
IPC (3件):
G01B 9/02
, G01B 11/00
, H01S 3/00
引用特許:
審査官引用 (4件)
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特開昭61-099805
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特開昭52-080859
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特開昭49-078640
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