特許
J-GLOBAL ID：200903037274918515
光電変換素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-143453
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340570
出願日： 1998年05月25日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【課題】 放熱を促進することにより発熱の影響を抑制することができる光電変換素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 同一の基板11に複数のレーザ発振部20を備える。各レーザ発振部20の間には各絶縁層14を介して放熱層15を設ける。各レーザ発振部20の間はこの放熱層15により平坦化される。放熱層15を基板11と格子整合しかつ不純物を添加しない半導体により構成し、基板11の表面にエピタキシャル成長させて形成する。放熱層15の表面には絶縁層16を形成する。よって、各レーザ発振部20において発生した熱を放熱層15により積極的に放熱でき、熱干渉による閾値電圧の上昇や発光出力の低下を抑制できる。また、放熱層15によりレーザ発振部側の表面を平坦化でき、多層配線が容易となる。
請求項（抜粋）：
積層された複数の半導体層よりなり、その積層方向に対して垂直な方向の端部に側面を有する光電変換部と、この光電変換部の側面の少なくとも一部に対して形成された放熱機能を有する放熱層とを備えたことを特徴とする光電変換素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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