特許

J-GLOBAL ID：200903037277317008

半導体装置の製造方法

発明者： 及川 勝夫
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 青木 朗 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-263836
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102067
出願日： 1991年10月11日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 ポリシリコンゲートのMOSFETの製造方法に関し、弗化硼素BF2のイオン注入後の活性化熱処理において、ゲート(SiO2)酸化膜中でのフッ素が硼素の拡散を促進して、FET閾値電圧Vthがバラツクので、それを抑制した半導体装置製造方法を提供する。【構成】 弗化硼素イオン注入の前にゲート(SiO2)酸化膜中に塩素(Cl)を予め導入しておく。第1のやり方は、工程(ア)〜(カ):(ア)シリコン半導体基板1を熱酸化してSiO2膜3を形成する工程、(イ)ポリシリコン電極4Aを形成する工程、(ウ)該ポリシリコン電極にイオン注入法で塩素を注入する工程、(エ)注入した塩素をSiO2膜3中へ熱拡散する工程、(オ)弗化硼素(BF2)を該ポリシリコン電極4Aにイオン注入する工程、および(カ)イオン注入の活性化熱処理を行い、SiO2膜中の塩素が硼素の拡散を抑制する工程、を含んでなる。

請求項（抜粋）：

下記工程(ア)〜(カ):(ア)シリコン半導体基板(1)を熱酸化してSiO2膜(3)を形成する工程、(イ)該SiO2膜(3)の上にポリシリコン電極(4A)を形成する工程、(ウ)該ポリシリコン電極(4A)にイオン注入法によって塩素を注入する工程、(エ)注入した塩素を前記SiO2膜(3)中へ拡散する熱処理を行う工程、(オ)弗化硼素(BF2)のイオン注入で前記ポリシリコン電極(4A)に弗化硼素を注入する工程、および(カ)イオン注入の活性化熱処理を行い、前記SiO2膜中の塩素が硼素の拡散を抑制する工程、を含んでなる半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/62 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 21/265 P ,  H01L 29/78 301 Y