特許
J-GLOBAL ID：200903037278549654
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-287273
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129865
出願日： 1995年11月06日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：
【要約】【課題】 InP基板上に形成された、熱的に安定で信頼性が高く、設計の自由度の大きい半導体装置を提供する。【解決手段】 アンドープInGaAsチャネル層3上に形成された、このチャネル層3にキャリアとしての電子を供給する電子供給層55にn型Al<SB>x1</SB>Ga<SB>1-</SB><SB>x1</SB>As<SB>y1</SB>P<SB>z1</SB>Sb<SB>1-y1-z1 </SB>(0≦x1 ≦1,0≦y1 <1,0<z1 ≦1)を用いる。【効果】 n型AlGaAsPSbは、n型AlInAsのように350 °C程度の熱処理によって電気的特性が変化するようなことがないため、熱的に安定で、高い信頼性を有するHEMTを得ることができる。さらに、所望のバンド構造を持つ電子供給層/チャネル層ヘテロ構造を高い自由度のもとで、容易に形成することが可能となり、デバイス設計の自由度を飛躍的に拡大させることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に設けられたAl<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>As<SB>y </SB>P<SB>z </SB>Sb<SB>1-</SB><SB>y-z </SB>(0≦x≦1,0≦y<1,0<z≦1)層を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 29/205
, H01S 3/18
H01L 29/80 H
, H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01S 3/18
, H01L 29/205
